在全球各大存储厂商集体减产、产能向高利润产品转移的大背景下，存储市场库存去化效果显著，整个存储市场有望迎来涨价行情的超级周期。
自2025年二季度以来，包括DDR4、LPDDR4X、DDR5和NAND Flash在内的全系列存储产品价格已连续五个月大幅上涨。
CFM数据显示，在10月13日—10月18日，现货市场价格加速飙升：
DRAM方面，DDR5 16G/DDR4 16G/DDR3 4G均价为10.343/24.167/2.72美金，相较上周同比+20.59%/+11.11%/+6.12%,相较上月同比+58.73%/+43%/+33.46%。
NAND Flash方面，大容量1Tb QLC/1Tb TLC/512Gb TLC/256Gb TLC均价为6/6.7/4.2/3.4美金，相较上周同比+17.6%/+17.5%/+20%/+6.3%，相较上月同比+22.4%/+21.8%/+31.3%/+13.3%。
面对这一强势行情，摩根士丹利在其研报中指出，预计存储行业将开启一个持续数年的“超级周期”，全球存储市场规模有望在2027年迈向3000亿美元，存储芯片行业或正迎来新一轮产业周期的起点。
德邦证券则分析认为，本轮周期受AI驱动，持续性可能更强。
威刚董事长陈立白表示，当前DRAM、NAND闪存、SSD和机械硬盘四大存储类别全面缺货涨价的局面，在其三十余年的行业生涯中前所未见。
他认为第四季度才是存储大多头的真正起点和严重缺货的开始，也是存储严重缺货的开始，预言明年产业荣景可期。
不少分析师也表示，DRAM及NAND闪存市场目前均出现缺货现象，且缺货情况较此前预测更为严峻，预计今年四季度及2026年行业价格将进一步上涨。
随着DRAM和NAND Flash等存储芯片价格持续飙升，作为连接存储芯片和主机系统的关键组件，存储控制IC的需求也跟着水涨船高。
在这波浪潮中，存储控制IC厂商的业绩表现尤为亮眼，比如群联第三季营运明显转强，其9月单月每股税后盈余（EPS）高达4.06元，同比大幅增长1094.12%，已超越第二季整季的获利。
群联表示，受惠于存储价格大涨，其9月整体控制晶片总出货量年增达35%，其中用于PCIe SSD的控制芯片，单月出货量更较去年同期大幅成长近300%，创下历史新高纪录。
另外，今年内存市场出现了一个奇葩的价格倒挂现象，那就是原本应该退市的DDR4内存比DDR5还要贵。
这个现象跟多个因素有关，一方面是DDR4的生产本来要落幕了，三星、SK海力士及美光三大原厂逐渐停产，转向更主流的DDR5内存。
另一方面则是DDR4内存的需求没有如预期那样大减，反而在部分领域更热，导致整体供需失衡，现货价格一直在涨，比DDR5内存还贵已经是常态。
之前有消息称三星等大厂因为DDR4需求回暖，决定暂缓一年停产DDR4，原本是今年底停产，现在计划2026年底才停产。
但是这个消息现在又被威刚董事长陈立白否认了，他日前表示大厂回头生产DDR4是谣言，因为用新技术新设备生产DDR4内存芯片是不划算的，而原来的设备已经拆除，可以确定的是他们会停产DDR4内存。
陈立白表示就当前的市场需求来说，缺口比想象的要大很多，这对一些还在生产DDR4内存的台系厂商有利，比如南亚科、华邦电等。
按照他的预计，DDR4内存缺货涨价的好日子至少要持续2年。
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